Статью с описанием устройства опубликовал научный журнал Nature Nanotechnology. Новое устройство представляет собой мемристор – так ученые называют элементы памяти, которые меняют свое сопротивление в зависимости от электрического заряда, который через них прошел, передает tass.ruМемристоры могут "запоминать" заряд, благодаря чему их можно использовать как замену транзисторам. Мемристоры работают быстрее современной флэш-памяти, кроме того, на них можно записать больше данных при том же размере устройства.Толщиной в атомРанее считалось, что очень тонкие материалы, толщина которых приближается к размеру атома, не могут быть мемристорами. Однако опыты группы ученых под руководством Деджи Акинванде из Техасского университета в Остине (США) показали, что это не так.Два года назад они продемонстрировали, что мемристорные свойства может проявлять практически двумерный материал на основе нитрида бора (h-BN) – его толщина составляла всего треть нанометра, то есть он был в три миллиарда раз меньше метра. Такое устройство ученые назвали атомристором, поскольку его толщина сопоставима с размерами одного атома.В новом исследовании Акинванде с коллегами добился еще большего успеха. На основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS2) они создали еще более миниатюрное устройство. Его площадь составляет всего один квадратный нанометр.Тесты устройства показали, что плотность записи информации на него может составлять около 25 ТБ/см2. Это примерно в 100 раз больше, чем у современных флэш-накопителей. Ученые надеются, что если такие устройства дойдут до промышленного производства, то станут основой для нейроморфных вычислительных систем, новых систем радиосвязи и многого другого.
